DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.8 A, 20 V, 11 mohm, 4.5 V, 1 V
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 三独立式, 30 V, 200 mA, 1 V, 600 mA, 125 °C
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.4 V
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单管二极管 齐纳, 2.7 V, 350 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
DIODES INC.
二极管 小信号, 双路, 双系列, 350 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 4 A
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 V
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 33 V, 350 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 800 mA, 100 V, 1.5 ohm, 10 V, 800 mV
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单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 170 MHz, 2 W, 1 A, 20000 hFE
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 100 V, 650 mohm, 10 V, 3 V
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 双隔离, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, 75 mA, -100 V, 20 ohm, -10 V, -3.5 V
DIODES INC.
二极管 小信号, 排列, 三独立式, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
DIODES INC.
二极管 小信号, 双路, 双系列, 75 V, 150 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 150 MHz, 2 W, 1.5 A, 5000 hFE
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 引脚, 150 °C
DIODES INC.
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 140 MHz, 625 mW, 800 mA, 60000 hFE
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 3 V, 300 mW, SOD-523, 7 %, 2 引脚, 150 °C
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.4 A, 100 V, 125 mohm, 10 V, 4 V
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 100 mohm, 4.5 V, 1 V
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -500 mA, 250 hFE
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 260 mA, 240 V, 6 ohm, 10 V, 1.3 V
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双极晶体管阵列, 双路, PNP, -60 V, 200 mW, -600 mA, 100 hFE, SOT-363
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小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 510 mA, 810 mV, 4.2 A, 125 °C