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晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
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单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 420 mW, 1 A, 40 hFE
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双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双PNP, -100 V, 1.25 W, -3 A, 10 hFE, SOT-1205
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晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率
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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 280 mW, -100 mA, 125 hFE
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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -150 V, 75 MHz, 325 mW, -500 mA, 100 hFE
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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 170 MHz, 325 mW, -2 A, 60 hFE
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单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 150 V, 75 MHz, 325 mW, 500 mA, 100 hFE
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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -60 V, 150 MHz, 325 mW, -1.7 A, 30 hFE
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 170 MHz, 325 mW, -1 A, 130 hFE
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二极管 小信号, AEC-Q101, 双隔离, 1.25 V, 50 ns, 1.7 A
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双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双PNP
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.046 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
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晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
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单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 280 mW, -100 mA, 420 hFE