DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 35 V, 8 A, PowerDI 5, 3 引脚, 510 mV
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -3 V
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 引脚, 175 °C
ON SEMICONDUCTOR
Small Signal Schottky Diode, Single, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C
VISHAY
二极管 小信号, 单, 100 V, 150 mA, 1.2 V, 4 ns, 350 mA
ON SEMICONDUCTOR
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 30 hFE
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 24 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 引脚, 175 °C
DIODES INC.
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 60 V, 2 A, PowerDI 123, 2 引脚, 620 mV
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 1.1 A, 80 V, 0.345 ohm, 10 V, 1.7 V
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0101 ohm, 10 V, 1.7 V
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P, 5.1 A, 20 V, 0.041 ohm, 4.5 V, 1.1 V
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 36 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 引脚, 175 °C
VISHAY
二极管 小信号, 开关AEC-Q101, 单, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 50 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 20 V, 2 A, 单, DO-214AA, 2 引脚, 500 mV
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 20V, 0.95A, SOT-363-6
ROHM
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 30 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
VISHAY
单管二极管 齐纳, 36 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 45 V, 500 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-563
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 47 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 引脚, 175 °C