ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 82 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
VISHAY
快速/超快功率二极管, AEC-Q101, 1 kV, 1 A, 单, 2.5 V, 75 ns, 30 A
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.062 ohm, -10 V, -1.5 V
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °C
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 20 hFE
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 250 mW, SOT-23, 2 %, 3 引脚, 150 °C
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 12 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 25 V, 500 mW, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
INFINEON
肖特基整流器, AEC-Q101, 10 V, 3 A, 单, SOD-323, 2 引脚, 600 mV
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 70 hFE
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 150 V, 3.25 W, SOD-57, 5 %, 2 引脚, 175 °C
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 16 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 100 V, 2 A, 单, DO-216AA, 2 引脚, 840 mV
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
VISHAY
单管二极管 齐纳, MELF, 3.3 V, 1 W, DO-213AB, 5 %, 2 引脚, 175 °C
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 110 hFE
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 10 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
INFINEON
小信号肖特基二极管, 双隔离, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 V
VISHAY
二极管 小信号, AEC-Q101, 单, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
BOURNS
肖特基整流器, AEC-Q101, 400 V, 1 A, 单, DO-214AC, 2 引脚, 1.25 V