NXP
双极性晶体管, 中等功率, PNP, -80V, -1A, 4SOT223
VISHAY
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 %, 2 引脚, 175 °C
VISHAY
齐纳二极管, 1.3W, 47V, DO-41
VISHAY
齐纳二极管, Vz:3.9V
VISHAY
齐纳二极管, 1.3W, 47V, DO-41
NEXPERIA
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 2000 hFE
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -3.6 A, SOT-23
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
VISHAY
单管二极管 齐纳, 43 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C
VISHAY
齐纳二极管, 5.1V
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
NEXPERIA
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 220 MHz, 1.3 W, 500 mA, 10000 hFE
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V
VISHAY
场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道, 30V, SOIC