VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
NEXPERIA
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
NEXPERIA
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 1000 hFE
NEXPERIA
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 10 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 175 °C
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 18 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 175 °C
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 30 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 175 °C
NEXPERIA
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
NEXPERIA
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
NEXPERIA
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 1000 hFE
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 2000 hFE
VISHAY
单管二极管 齐纳, 15 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
VISHAY
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 1.25 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 20 V, 0.085 ohm, 4.5 V, 700 mV
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 20 V, 0.085 ohm, 4.5 V, 700 mV
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 30 V, 0.135 ohm, 10 V, 1 V
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 30 V, 0.135 ohm, 10 V, 1 V
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.4 A, 20 V, 0.085 ohm, 4.5 V, 700 mV
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 25 V, 20 mohm, 10 V, 1.7 V