ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路NPN, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.213 电阻比率
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, 50 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 150 mA, 22 kohm, 10 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -22.5A, TDSON-8
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率
NEXPERIA
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.046 电阻比率