ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.46 电阻比率
INFINEON
射频晶体管, NPN, 12V, SOT-23
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.7 V
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, 100 hFE
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 20 V
INFINEON
晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 100 hFE
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 20 V, 0.107 ohm, 2.5 V, 550 mV
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 30 hFE
INFINEON
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 40 hFE
ROHM
双极晶体管阵列, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 50 hFE
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管阵列, NPN, 40 V, 380 mW, 600 mA, 20 hFE, SC-74
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 40 hFE
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管阵列, 双NPN, 45 V, 150 mW, 200 mA, 500 hFE, SC-88
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率