ROHM
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 0.0125 ohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V
ROHM
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 180 MHz, 200 mW, 150 mA, 120 hFE
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 5 V
ROHM
晶体管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 45 V, 0.018 ohm, 10 V, 2.5 V
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 100 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 数字式, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率
ROHM
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm