BS250FTA,1843731RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -90 mA, -45 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V,DIODES INC.
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

BS250FTA - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -90 mA, -45 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V

DIODES INC. BS250FTA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BS250FTA
仓库库存编号:
1843731RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BS250FTA产品概述

The BS250FTA is a -45V P-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with 9R resistance and 330mW power dissipation.
  • AEC-Q10x qualified

电源管理, 电机驱动与控制, 音频, 车用

BS250FTA产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -90mA  
  漏源电压, Vds  -45V  
  在电阻RDS(上)  9ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -3.5V  
  功耗 Pd  330mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

BS250FTA关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

BS250FTA相关搜索

晶体管极性 P沟道  DIODES INC. 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 -90mA  DIODES INC. 电流, Id 连续 -90mA  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -90mA  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -90mA   漏源电压, Vds -45V  DIODES INC. 漏源电压, Vds -45V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -45V  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -45V   在电阻RDS(上) 9ohm  DIODES INC. 在电阻RDS(上) 9ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 9ohm  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 9ohm   电压 @ Rds测量 -10V  DIODES INC. 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -3.5V  DIODES INC. 阈值电压 Vgs -3.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3.5V  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3.5V   功耗 Pd 330mW  DIODES INC. 功耗 Pd 330mW  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 330mW  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 330mW   晶体管封装类型 SOT-23  DIODES INC. 晶体管封装类型 SOT-23  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-23  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-23   针脚数 3引脚  DIODES INC. 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  DIODES INC. 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  DIODES INC. 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  DIODES INC. 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  DIODES INC. MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BS250FTA产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000008
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com