ZVP2106A,9525505,晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V,DIODES INC.
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

ZVP2106A - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V

DIODES INC. ZVP2106A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ZVP2106A
仓库库存编号：
9525505
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

ZVP2106A产品概述

The ZVP2106A is a P-channel enhancement mode MOSFET Transistor with -4A pulsed drain current.
  • ±20V Gate Source Voltage

电源管理, 工业

ZVP2106A产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -280mA  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS（上）  4ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -3.5V  
  功耗 Pd  700mW  
  晶体管封装类型  TO-226AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

ZVP2106A关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 参考库存数
  • 操作

ZVP2106A相关搜索

晶体管极性 P沟道  DIODES INC. 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 -280mA  DIODES INC. 电流, Id 连续 -280mA  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -280mA  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -280mA   漏源电压, Vds -60V  DIODES INC. 漏源电压, Vds -60V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V   在电阻RDS（上） 4ohm  DIODES INC. 在电阻RDS（上） 4ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 4ohm  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 4ohm   电压 @ Rds测量 -10V  DIODES INC. 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -3.5V  DIODES INC. 阈值电压 Vgs -3.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3.5V  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3.5V   功耗 Pd 700mW  DIODES INC. 功耗 Pd 700mW  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 700mW  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 700mW   晶体管封装类型 TO-226AA  DIODES INC. 晶体管封装类型 TO-226AA  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-226AA  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-226AA   针脚数 3引脚  DIODES INC. 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  DIODES INC. 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  DIODES INC. 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  DIODES INC. 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  DIODES INC. MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  DIODES INC. 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  

ZVP2106A参考库存及参考价格

2541 有货

可于1-2周内送达
包装规格：
每个
搜索
新加坡2号仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
CNY 9.34
数量 参考价格 
1 +  ￥9.34 
10 +  ￥7.88 
100 +  ￥6.06 
500 +  ￥5.36 
1000 +  ￥4.22 
4000 +  ￥3.75 
8000 +  ￥3.62 
24000 +  ￥3.49 
电话:400-900-3095
QQ:800152669在线咨询

ZVP2106A产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000168
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 http://www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com