FDMS6681Z,2083283,晶体管, MOSFET, P沟道, -49 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -1.7 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDMS6681Z - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -49 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -1.7 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDMS6681Z
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制造商产品编号:
FDMS6681Z
仓库库存编号:
2083283
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDMS6681Z产品概述

The FDMS6681Z is a -30V P-channel PowerTrench? MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench? MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • HBM ESD protection level of 8kV typical

电源管理

FDMS6681Z产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -49A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  0.0027ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.7V  
  功耗 Pd  73W  
  晶体管封装类型  Power 56  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDMS6681Z参考库存及参考价格

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3000 +  ¥40.21 
电话:400-900-3095
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FDMS6681Z产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85415000
重量(千克):
.003
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