FDN360P,9846336RL,晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDN360P - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDN360P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDN360P
仓库库存编号:
9846336RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDN360P产品概述

The FDN360P from Fairchild is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.
  • High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
  • Low gate charge typically 6.2nC
  • Drain to source voltage (Vds) of -30V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -2A at 25°C
  • Power dissipation (Pd) of 500mW
  • Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

FDN360P产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  2A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  80mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.9V  
  功耗 Pd  500mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDN360P产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000454
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