FDN5618P,9846344RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -1.25 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 20 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDN5618P - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.25 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 20 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDN5618P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDN5618P
仓库库存编号:
9846344RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDN5618P产品概述

The FDN5618P from Fairchild is a surface mount, 60V P channel logic level powerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for DC-DC converters, load switch and power management applications.
  • High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
  • Drain to source voltage (Vds) of -60V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -1.25A
  • Power dissipation (pd) of 500mW
  • Low on state resistance of 185mohm at Vgs -4.5V
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

FDN5618P产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -1.25A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  170mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  20V  
  功耗 Pd  500mW  
  晶体管封装类型  SuperSOT  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDN5618P产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000034
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