FDN5630,1471049,晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDN5630 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDN5630
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDN5630
仓库库存编号:
1471049
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDN5630产品概述

The FDN5630 is a 60V N-channel PowerTrench? MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench? MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Low gate charge
  • Optimized for use in high frequency DC/DC converters

电源管理, 电机驱动与控制

FDN5630产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1.7A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  100mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.4V  
  功耗 Pd  500mW  
  晶体管封装类型  SuperSOT  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

FDN5630替代选择

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FDN5630参考库存及参考价格

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FDN5630产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000001
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