FDS6681Z,1611454RL,晶体管, MOSFET, P沟道, 20 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, 1.8 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

FDS6681Z - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 20 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, 1.8 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6681Z
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDS6681Z
仓库库存编号:
1611454RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FDS6681Z产品概述

The FDS6681Z is a -30V P-channel PowerTrench? MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench? MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Extended VGSS range (-25V) for battery applications
  • HBM ESD protection level of ±3.8kV typical
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)
  • High power and current handling capability

电源管理, 消费电子产品

FDS6681Z产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  20A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  0.0038ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  1.8V  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

FDS6681Z相关搜索

晶体管极性 P沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 20A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 20A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 20A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 20A   漏源电压, Vds -30V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 漏源电压, Vds -30V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V   在电阻RDS(上) 0.0038ohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 在电阻RDS(上) 0.0038ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0038ohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0038ohm   电压 @ Rds测量 -10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs 1.8V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs 1.8V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.8V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.8V   功耗 Pd 2.5W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 2.5W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 2.5W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 2.5W   晶体管封装类型 SOIC  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管封装类型 SOIC  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOIC  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOIC   针脚数 8引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 针脚数 8引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚   工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDS6681Z产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000263
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com