FDS8958A,9844830RL,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDS8958A - 

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS8958A
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制造商产品编号:
FDS8958A
仓库库存编号:
9844830RL
技术数据表:
(EN)
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FDS8958A产品概述

The FDS8958A is a 30V Dual N-channel and P-channel PowerTrench? MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench? MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)
  • High power and current handling capability

电源管理, 消费电子产品

FDS8958A产品信息

  晶体管极性  N和P沟道  
  电流, Id 连续  7A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  0.019ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.9V  
  功耗 Pd  2W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDS8958A产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00022
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