FDT457N,2464126,晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDT457N - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDT457N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDT457N
仓库库存编号:
2464126
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDT457N产品概述

The FDT457N is a 30V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. It is well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits and DC motor control. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • High density cell design for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability
  • ±20V Continuous gate source voltage (VGSS)
  • 42°C/W Thermal resistance, junction to ambient
  • 12°C/W Thermal resistance, junction to case

工业, 电机驱动与控制, 电源管理

FDT457N产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  5A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  0.043ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.6V  
  功耗 Pd  3W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDT457N参考库存及参考价格

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电话:400-900-3095
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FDT457N产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000274
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