FQD1N80TM,2453434RL,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQD1N80TM - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD1N80TM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FQD1N80TM
仓库库存编号:
2453434RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQD1N80TM产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1A  
  漏源电压, Vds  800V  
  在电阻RDS(上)  15.5ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  45W  
  晶体管封装类型  TO-252AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FQD1N80TM产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00026
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