HUF75645P3,9825665,场效应管, MOSFET, N沟道, 75A, TO-220AB,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

HUF75645P3 - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 75A, TO-220AB

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD HUF75645P3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
HUF75645P3
仓库库存编号:
9825665
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

HUF75645P3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  75A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS(上)  14mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  310W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
关键词         

HUF75645P3替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 参考库存数
  • 操作

HUF75645P3关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 参考库存数
  • 操作

HUF75645P3相关搜索

晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 75A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 75A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 75A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 75A   漏源电压, Vds 100V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 漏源电压, Vds 100V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V   在电阻RDS(上) 14mohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 在电阻RDS(上) 14mohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 14mohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 14mohm   电压 @ Rds测量 10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 4V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs 4V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 4V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 4V   功耗 Pd 310W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 310W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 310W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 310W   晶体管封装类型 TO-220AB  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管封装类型 TO-220AB  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-220AB  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-220AB   针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 175°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  

HUF75645P3参考库存及参考价格

40 有货

可于1-2周内送达
包装规格:
每个
搜索
新加坡2号仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
CNY 31.38
数量 参考价格 
1 +  ¥31.38 
10 +  ¥26.66 
100 +  ¥21.27 
500 +  ¥18.67 
1000 +  ¥15.54 
2500 +  ¥14.41 
5000 +  ¥13.84 
10000 +  ¥13.4 
电话:400-900-3095
QQ:800152669在线咨询

HUF75645P3产地与重量

原产地:
Singapore

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
84212900
重量(千克):
.002786
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 http://www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com