NDS331N,1839006RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.11 ohm, 4.5 V, 700 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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NDS331N - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.11 ohm, 4.5 V, 700 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD NDS331N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NDS331N
仓库库存编号:
1839006RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NDS331N产品概述

The NDS331N is a N-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance. Suited for low voltage applications in PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
  • High density cell design for extremely low RDS (ON)
  • Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

电源管理, 计算机和计算机周边

NDS331N产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1.3A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS(上)  0.11ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  700mV  
  功耗 Pd  500mW  
  晶体管封装类型  SuperSOT  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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NDS331N替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

NDS331N产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002
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