NDT2955 -

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V

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制造商：: ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号：: NDT2955
仓库库存编号：: 9846271
技术数据表：: (EN)

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NDT2955产品概述

The NDT2955 from Fairchild is a surface mount, 60V P channel enhancement mode field effect transistors in SOT-223 package. Transistor is produced using Fairchild's high voltage trench process and suitable for power management applications.

High density cell design for extremely low Rds(ON)
Drain to source voltage (Vds) of -60V
Gate to source voltage of ±20V
Continuous drain current (Id) of -2.5A
Power dissipation (pd) of 3W
Low on state resistance of 163mohm at Vgs -4.5V
Operating temperature range -55°C to 150°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

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制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作

晶体管极性	P沟道
电流, Id 连续	-2.5A
漏源电压, Vds	-60V
在电阻RDS（上）	300mohm
电压 @ Rds测量	-10V
阈值电压 Vgs	2.6V
功耗 Pd	3W
晶体管封装类型	SOT-223
针脚数	4引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

NDT2955 -

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V

NDT2955产品概述

NDT2955产品信息

NDT2955替代选择

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 0.095 ohm, -10 V, -2.6 V

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