NDT2955,9846271RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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NDT2955 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD NDT2955
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NDT2955
仓库库存编号:
9846271RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NDT2955产品概述

The NDT2955 from Fairchild is a surface mount, 60V P channel enhancement mode field effect transistors in SOT-223 package. Transistor is produced using Fairchild's high voltage trench process and suitable for power management applications.
  • High density cell design for extremely low Rds(ON)
  • Drain to source voltage (Vds) of -60V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -2.5A
  • Power dissipation (pd) of 3W
  • Low on state resistance of 163mohm at Vgs -4.5V
  • Operating temperature range -55°C to 150°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

NDT2955产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -2.5A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  300mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  2.6V  
  功耗 Pd  3W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

NDT2955替代选择

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NDT2955产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.000199
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