BSS84PH6327XTSA2,1056526RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V,INFINEON
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BSS84PH6327XTSA2 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

INFINEON BSS84PH6327XTSA2
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制造商产品编号:
BSS84PH6327XTSA2
仓库库存编号:
1056526RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSS84PH6327XTSA2产品概述

The BSS84P H6327 from Infineon is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.
  • Automotive grade AEC-Q101 qualified
  • Drain to source voltage (Vds) of -60V
  • Gate to source voltage of ±20V
  • Continuous drain current (Id) of -170mA
  • Power dissipation (pd) of 360mW
  • Operating temperature range -55°C to 150°C
  • Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业, 车用

BSS84PH6327XTSA2产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -170mA  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  8ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.5V  
  功耗 Pd  360mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  -  
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BSS84PH6327XTSA2替代选择

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BSS84PH6327XTSA2缓存库存及参考价格

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BSS84PH6327XTSA2产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000033
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