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BSZ086P03NS3GATMA1 - 

晶体管, MOSFET, BRT, P沟道, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V

INFINEON BSZ086P03NS3GATMA1
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制造商产品编号：
BSZ086P03NS3GATMA1
仓库库存编号：
2443470
技术数据表：
 
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BSZ086P03NS3GATMA1产品概述

The BSZ086P03NS3 G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
  • Enhancement-mode
  • Halogen-free, Green device
  • Qualified to JEDEC for target applications

电源管理, 电机驱动与控制, 消费电子产品, 便携式器材, 计算机和计算机周边

BSZ086P03NS3GATMA1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -40A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  0.0065ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -2.5V  
  功耗 Pd  69W  
  晶体管封装类型  TSDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSZ086P03NS3GATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0003
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