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IPG20N06S4L11ATMA1 - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 60 V, 0.0095 ohm, 10 V, 1.7 V

INFINEON IPG20N06S4L11ATMA1
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制造商产品编号：
IPG20N06S4L11ATMA1
仓库库存编号：
2725855
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPG20N06S4L11ATMA1产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  20A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.0095ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.7V  
  功耗 Pd  65W  
  晶体管封装类型  TDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  OptiMOS T2 Series  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPG20N06S4L11ATMA1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000389
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