IPW65R045C7FKSA1,2420493,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V,INFINEON
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IPW65R045C7FKSA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V

INFINEON IPW65R045C7FKSA1
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制造商产品编号:
IPW65R045C7FKSA1
仓库库存编号:
2420493
技术数据表:
(EN)
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IPW65R045C7FKSA1产品概述

The IPW65R045C7 is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET providing the world's lowest RDS (on) with low switching losses and efficiency improvements over the full load range. The new CoolMOS™ C7 series offers a ~50% reduction in turn-off losses (Eoss) compared to the CoolMOS™ CP, offering a GaN-like level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.
  • Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
  • Lower gate charge
  • Space-saving through reduction of parts
  • Improved safety margin
  • Lowest conduction losses
  • Low switching losses
  • Better light load efficiency
  • Increasing power density

通信与网络, 计算机和计算机周边, 替代能源, 电源管理

IPW65R045C7FKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  46A  
  漏源电压, Vds  650V  
  在电阻RDS(上)  0.04ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3.5V  
  功耗 Pd  227W  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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IPW65R045C7FKSA1产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.009525
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