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IRF540NPBF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON IRF540NPBF
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制造商产品编号:
IRF540NPBF
仓库库存编号:
8648298
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF540NPBF产品概述

International Rectifier公司的IRF540NPBF为100V单路N通道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装. 此MOSFET具有极低的每硅片区面积电阻, 动态的dv / dt评级, 坚固耐用的快速切换以及全额定雪崩, 著名的功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 用于多种应用程序.
  • 漏极至源极电压: 100V
  • 栅-源电压:±20V
  • 10V通导电阻Rds(on): 44m欧
  • 25°C功率耗散Pd: 130W
  • Vgs 10V和25°C持续漏电流Id: 33A
  • 工作结温范围: -55°C至175°C

电源管理, 工业, 便携式器材, 消费电子产品

IRF540NPBF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  33A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS(上)  0.044ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  130W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IRF540NPBF产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002712
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