IXFN200N10P,1427322,晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V,IXYS SEMICONDUCTOR
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

IXFN200N10P - 

晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N10P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IXFN200N10P
仓库库存编号:
1427322
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXFN200N10P产品概述

The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
  • Fast intrinsic rectifier
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
  • Rugged polysilicon gate cell structure
  • Easy to mount
  • High power density
  • Space savings

电源管理, 照明

IXFN200N10P产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  200A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS(上)  7.5mohm  
  电压 @ Rds测量  15V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  680W  
  晶体管封装类型  ISOTOP  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  Polar(TM) HiPerFET  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
关键词         

IXFN200N10P关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 参考库存数
  • 操作

IXFN200N10P相关搜索

晶体管极性 N沟道  IXYS SEMICONDUCTOR 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 200A  IXYS SEMICONDUCTOR 电流, Id 连续 200A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 200A  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 200A   漏源电压, Vds 100V  IXYS SEMICONDUCTOR 漏源电压, Vds 100V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V   在电阻RDS(上) 7.5mohm  IXYS SEMICONDUCTOR 在电阻RDS(上) 7.5mohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 7.5mohm  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 7.5mohm   电压 @ Rds测量 15V  IXYS SEMICONDUCTOR 电压 @ Rds测量 15V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 15V  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 15V   阈值电压 Vgs 5V  IXYS SEMICONDUCTOR 阈值电压 Vgs 5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 5V  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 5V   功耗 Pd 680W  IXYS SEMICONDUCTOR 功耗 Pd 680W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 680W  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 680W   晶体管封装类型 ISOTOP  IXYS SEMICONDUCTOR 晶体管封装类型 ISOTOP  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 ISOTOP  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 ISOTOP   针脚数 4引脚  IXYS SEMICONDUCTOR 针脚数 4引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚   工作温度最高值 175°C  IXYS SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 Polar(TM) HiPerFET  IXYS SEMICONDUCTOR 产品范围 Polar(TM) HiPerFET  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 Polar(TM) HiPerFET  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 Polar(TM) HiPerFET   汽车质量标准 -  IXYS SEMICONDUCTOR 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL -  IXYS SEMICONDUCTOR MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  

IXFN200N10P参考库存及参考价格

53 有货

可于1-2周内送达
包装规格:
每个
搜索
新加坡2号仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
CNY 228.91
数量 参考价格 
1 +  ¥228.91 
10 +  ¥210.46 
20 +  ¥201.7 
100 +  ¥177.74 
200 +  ¥168.96 
500 +  ¥158.05 
电话:400-900-3095
QQ:800152669在线咨询

IXFN200N10P产地与重量

原产地:
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.03
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 http://www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com