2N7002E,215,1894721RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 385 mA, 60 V, 780 mohm, 10 V, 2 V,NEXPERIA
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2N7002E,215 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 385 mA, 60 V, 780 mohm, 10 V, 2 V

NEXPERIA 2N7002E,215
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制造商产品编号:
2N7002E,215
仓库库存编号:
1894721RL
技术数据表:
(EN)
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2N7002E,215产品概述

The 2N7002E,215 is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in surface mount plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for logic level translator and high-speed line driver.
  • Logic-level compatible
  • Very fast switching

工业

2N7002E,215产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  385mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  780mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  830mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

2N7002E,215替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2N7002E,215产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000008
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