BSH103,215,1081307RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mV,NEXPERIA
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BSH103,215 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mV

NEXPERIA BSH103,215
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSH103,215
仓库库存编号:
1081307RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSH103,215产品概述

The BSH103 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode MOS transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very low threshold, high speed switching, no secondary breakdown and direct interface to CMOS, TTL. BSH103 is designed and qualified for use in high frequency applications, glue logic interface between logic blocks or periphery, computing, battery powered applications.
  • Suitable for use with all 5V logic families
  • Suitable for very low gate drive sources
  • Drain to source voltage (Vds) of 30V
  • Gate to source voltage of ±8V
  • Drain current (Id) of 850mA
  • Power dissipation (Pd) of 750mW
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

BSH103,215产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  850mA  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  0.4ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  400mV  
  功耗 Pd  750mW  
  晶体管封装类型  TO-236AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSH103,215产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000033
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