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BSH105,215 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.05 A, 20 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 570 mV

NEXPERIA BSH105,215
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSH105,215
仓库库存编号：
1758066
技术数据表：
(EN)
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BSH105,215产品概述

The BSH105,215 is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor in a plastic package using vertical D-MOS technology. Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics.
  • Logic-level compatible
  • Very fast switching
  • Low threshold voltage

工业, 计算机和计算机周边, 通信与网络, 消费电子产品

BSH105,215产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1.05A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS（上）  0.14ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  570mV  
  功耗 Pd  417mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSH105,215产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000006
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