PBSS4041SPN,1829389RL,双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 2.3 W, 6.7 A, 300 hFE, SOIC,NEXPERIA
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PBSS4041SPN - 

双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 2.3 W, 6.7 A, 300 hFE, SOIC

NEXPERIA PBSS4041SPN
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PBSS4041SPN
仓库库存编号：
1829389RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PBSS4041SPN产品概述

The PBSS4041SPN is a 60V NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Transistor with very low collector-emitter saturation voltage and high efficiency due to less heat generation. Suitable for load switch, battery driven devices and charging circuits.
  • 150°C Junction temperature
  • Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
  • High collector current capability
  • High collector current gain

电源管理

PBSS4041SPN产品信息

  晶体管极性  NPN, PNP  
  集电极发射电压, Vceo  60V  
  功耗 Pd  2.3W  
  集电极直流电流  6.7A  
  直流电流增益, hFE  300hFE  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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PBSS4041SPN替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

PBSS4041SPN产地与重量

原产地：
Thailand

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000141
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