NTD25P03LT4G,2101430,晶体管, MOSFET, 小信号, P沟道, -25 A, -30 V, 0.056 ohm, -5 V, -1.6 V,ON SEMICONDUCTOR
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NTD25P03LT4G - 

晶体管, MOSFET, 小信号, P沟道, -25 A, -30 V, 0.056 ohm, -5 V, -1.6 V

ON SEMICONDUCTOR NTD25P03LT4G
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制造商产品编号:
NTD25P03LT4G
仓库库存编号:
2101430
技术数据表:
(EN)
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NTD25P03LT4G产品概述

The NTD25P03LT4G is a -30V P-channel Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The source to drain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode.
  • AEC-Q101 qualified

电机驱动与控制, 电源管理

NTD25P03LT4G产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -25A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  0.056ohm  
  电压 @ Rds测量  -5V  
  阈值电压 Vgs  -1.6V  
  功耗 Pd  75W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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NTD25P03LT4G关联产品

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NTD25P03LT4G产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00046
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