NTR4171PT1G,2464120,晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 50 mohm, -10 V, -1.15 V,ON SEMICONDUCTOR
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NTR4171PT1G - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 50 mohm, -10 V, -1.15 V

ON SEMICONDUCTOR NTR4171PT1G
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制造商产品编号:
NTR4171PT1G
仓库库存编号:
2464120
技术数据表:
(EN)
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NTR4171PT1G产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -3.5A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  50mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.15V  
  功耗 Pd  1.25W  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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NTR4171PT1G产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000033
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