STD13NM60N,2353657,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V,STMICROELECTRONICS
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STD13NM60N - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

STMICROELECTRONICS STD13NM60N
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制造商产品编号:
STD13NM60N
仓库库存编号:
2353657
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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STD13NM60N产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  11A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  0.28ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  90W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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STD13NM60N产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85411000
重量(千克):
.0001
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