CSD25401Q3,1710779RL,晶体管, MOSFET, P沟道, 60 A, -20 V, 0.0088 ohm, -4.5 V, 850 mV,TEXAS INSTRUMENTS
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CSD25401Q3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 60 A, -20 V, 0.0088 ohm, -4.5 V, 850 mV

TEXAS INSTRUMENTS CSD25401Q3
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制造商产品编号:
CSD25401Q3
仓库库存编号:
1710779RL
技术数据表:
(EN)
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CSD25401Q3产品概述

The CSD25401Q3 is a -20V P-channel NexFET? Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. Suitable for DC to DC converters, battery management and load switch applications.
  • Ultra low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Low RDS (on)
  • Halogen-free

电源管理

CSD25401Q3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  60A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS(上)  0.0088ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  850mV  
  功耗 Pd  2.8W  
  晶体管封装类型  SON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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CSD25401Q3产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0001
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