2N7002K-T1-GE3..,1858936RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1 V,VISHAY
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晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 1 V

VISHAY 2N7002K-T1-GE3..
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
2N7002K-T1-GE3..
仓库库存编号:
1858936RL
技术数据表:
(EN)
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2N7002K-T1-GE3..产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  190mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  2ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1V  
  功耗 Pd  350mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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2N7002K-T1-GE3..产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000008
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