SI7489DP-T1-E3,1684076RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -10 V, -3 V,VISHAY
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SI7489DP-T1-E3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -10 V, -3 V

VISHAY SI7489DP-T1-E3
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI7489DP-T1-E3
仓库库存编号:
1684076RL
技术数据表:
(EN)
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SI7489DP-T1-E3产品概述

The SI7489DP-T1-E3 is a -100V P-channel TrenchFET? Power MOSFET.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

电源管理

SI7489DP-T1-E3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -28A  
  漏源电压, Vds  -100V  
  在电阻RDS(上)  0.033ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -3V  
  功耗 Pd  83W  
  晶体管封装类型  PowerPAK SO  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SI7489DP-T1-E3产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000225
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