AT45DB081E-SSHN-B,2414321,闪存, 串行, 8 Mbit, 4096 页 x 256字节, 85 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚,ADESTO TECHNOLOGIES
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

AT45DB081E-SSHN-B - 

闪存, 串行, 8 Mbit, 4096 页 x 256字节, 85 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚

ADESTO TECHNOLOGIES AT45DB081E-SSHN-B
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
AT45DB081E-SSHN-B
仓库库存编号:
2414321
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

AT45DB081E-SSHN-B产品概述

The AT45DB081E-SSHN-B is a 1.7V minimum, serial-interface sequential access Flash Memory, ideally suited for a wide variety of digital voice, image, program code and data storage applications. The AT45DB081E also supports the RapidS serial interface for applications requiring very high speed operation. Its 8650752 bits of memory are organized as 4096 pages of 256 or 264bytes each. In addition to the main memory, this also contains two SRAM buffers of 256/264 bytes each. The buffers allow receiving of data while a page in the main memory is being reprogrammed. Interleaving between both buffers can dramatically increase a systems ability to write a continuous data stream. In addition, the SRAM buffers can be used as additional system scratch pad memory and E2 PROM emulation (bit or byte alterability) can be easily handled with a self-contained three step read-modify-write operation.
  • Serial Peripheral Interface (SPI) compatible
  • Continuous read capability through entire array
  • Low-power read option up to 20MHz
  • User configurable page size
  • Two fully independent SRAM data buffers (256/264 bytes)
  • Flexible programming options
  • Flexible erase options
  • Program and Erase Suspend/Resume
  • 20 Years data retention
  • Low-power dissipation

计算机和计算机周边

AT45DB081E-SSHN-B产品信息

  存储器容量  8Mbit  
  闪存配置  4096 页 x 256字节  
  时钟频率  85MHz  
  芯片接口类型  SPI  
  封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  存取时间  -  
  电源电压最小值  1.7V  
  电源电压最大值  3.6V  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  剪切带  
  产品范围  3V Serial NOR Flash Memories  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

AT45DB081E-SSHN-B相关搜索

存储器容量 8Mbit  ADESTO TECHNOLOGIES 存储器容量 8Mbit  闪存 存储器容量 8Mbit  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 存储器容量 8Mbit   闪存配置 4096 页 x 256字节  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存配置 4096 页 x 256字节  闪存 闪存配置 4096 页 x 256字节  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 闪存配置 4096 页 x 256字节   时钟频率 85MHz  ADESTO TECHNOLOGIES 时钟频率 85MHz  闪存 时钟频率 85MHz  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 时钟频率 85MHz   芯片接口类型 SPI  ADESTO TECHNOLOGIES 芯片接口类型 SPI  闪存 芯片接口类型 SPI  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 芯片接口类型 SPI   封装类型 SOIC  ADESTO TECHNOLOGIES 封装类型 SOIC  闪存 封装类型 SOIC  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 封装类型 SOIC   针脚数 8引脚  ADESTO TECHNOLOGIES 针脚数 8引脚  闪存 针脚数 8引脚  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 针脚数 8引脚   存取时间 -  ADESTO TECHNOLOGIES 存取时间 -  闪存 存取时间 -  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 存取时间 -   电源电压最小值 1.7V  ADESTO TECHNOLOGIES 电源电压最小值 1.7V  闪存 电源电压最小值 1.7V  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 电源电压最小值 1.7V   电源电压最大值 3.6V  ADESTO TECHNOLOGIES 电源电压最大值 3.6V  闪存 电源电压最大值 3.6V  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 电源电压最大值 3.6V   工作温度最小值 -40°C  ADESTO TECHNOLOGIES 工作温度最小值 -40°C  闪存 工作温度最小值 -40°C  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 工作温度最小值 -40°C   工作温度最高值 85°C  ADESTO TECHNOLOGIES 工作温度最高值 85°C  闪存 工作温度最高值 85°C  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 工作温度最高值 85°C   封装 剪切带  ADESTO TECHNOLOGIES 封装 剪切带  闪存 封装 剪切带  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 封装 剪切带   产品范围 3V Serial NOR Flash Memories  ADESTO TECHNOLOGIES 产品范围 3V Serial NOR Flash Memories  闪存 产品范围 3V Serial NOR Flash Memories  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 产品范围 3V Serial NOR Flash Memories   MSL MSL 1 -无限制  ADESTO TECHNOLOGIES MSL MSL 1 -无限制  闪存 MSL MSL 1 -无限制  ADESTO TECHNOLOGIES 闪存 MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

AT45DB081E-SSHN-B产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423261
重量(千克):
.0001
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com