规格：功耗 Pd 500mW,
MULTICOMP
齐纳二极管, 500mW, 62V, MINIMELF
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -140 mA, -250 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 4.7 V, 500 mW, MiniMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 16 V, 500 mW, DO-204AH, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 75 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, DO-204AH, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)
NEXPERIA
齐纳二极管, 5.1V, 500mW, SOD-123F-2
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, DO-204AH, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 2.5 V, 500 mW, DO-204AH, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 20 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 27 V, 500 mW, DO-204AH, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管, 2.4V, 2-SOD-123
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, FemtoFET™, P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.11 ohm, -8 V, -950 mV
(EN)
