BSS126H6327XTSA2,2212899,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

BSS126H6327XTSA2 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V

INFINEON BSS126H6327XTSA2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSS126H6327XTSA2
仓库库存编号：
2212899
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BSS126H6327XTSA2产品概述

The BSS126 H6327 is a N-channel depletion-mode SIPMOS? Small-Signal-Transistor with 600VDS drain source voltage. Areas of application include power supply start-up power, overvoltage protection, in-rush-current limiter, off-line voltage reference. Also suitable for automotive applications.
  • dV/dt rated
  • Pb-free lead plating
  • Qualified according to AEC Q101
  • Halogen-free

车用, 消费电子产品, 电源管理, 便携式器材, 通信与网络

BSS126H6327XTSA2产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  21mA  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS（上）  280ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  -2V  
  功耗 Pd  500mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
关键词         

BSS126H6327XTSA2替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

BSS126H6327XTSA2关联产品

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

BSS126H6327XTSA2相关搜索

晶体管极性 N沟道  INFINEON 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 21mA  INFINEON 电流, Id 连续 21mA  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 21mA  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 21mA   漏源电压, Vds 600V  INFINEON 漏源电压, Vds 600V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 600V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 600V   在电阻RDS（上） 280ohm  INFINEON 在电阻RDS（上） 280ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 280ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS（上） 280ohm   电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs -2V  INFINEON 阈值电压 Vgs -2V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs -2V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs -2V   功耗 Pd 500mW  INFINEON 功耗 Pd 500mW  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 500mW  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 500mW   晶体管封装类型 SOT-23  INFINEON 晶体管封装类型 SOT-23  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 SOT-23  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 SOT-23   针脚数 3引脚  INFINEON 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  INFINEON 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -   MSL -  INFINEON MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSS126H6327XTSA2产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000272
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com