CY62256NLL-55SNXI,1650073,芯片, SRAM, 256K, 32KX8, 5V, SOIC28,CYPRESS SEMICONDUCTOR
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

CY62256NLL-55SNXI - 

芯片, SRAM, 256K, 32KX8, 5V, SOIC28

CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62256NLL-55SNXI
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
CY62256NLL-55SNXI
仓库库存编号:
1650073
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

CY62256NLL-55SNXI产品概述

The CY62256NLL-55SNXI is a 256kb high performance CMOS static RAM organized as 32K words by 8-bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW chip enable and active LOW output enable and tri-state drivers. This device has an automatic power-down feature reducing the power consumption by 99.9% when deselected. An active LOW write enable signal controls the writing/reading operation of the memory. When CE and WE inputs are both LOW, data on the eight data input/output pins, is written into the memory location addressed by the address present on the address pins. Reading the device is accomplished by selecting the device and enabling the outputs, CE and OE active LOW, while WE remain inactive or HIGH. Under these conditions, the contents of the location addressed by the information on address pins are present on the eight data input/output pins. The input/output pins remain in a high impedance state unless the chip is selected, outputs are enabled and write enable is HIGH.
  • Easy memory expansion with CE and OE
  • TTL-compatible inputs and outputs
  • Automatic power-down when deselected
  • CMOS for optimum speed/power

计算机和计算机周边

CY62256NLL-55SNXI产品信息

  存储器容量  256Kbit  
  SRAM 内存配置  32K x 8位  
  电源电压范围  4.5V 至 5.5V  
  封装类型  SOIC  
  针脚数  28引脚  
  存取时间  55ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

CY62256NLL-55SNXI替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

CY62256NLL-55SNXI相关搜索

存储器容量 256Kbit  CYPRESS SEMICONDUCTOR 存储器容量 256Kbit  SRAM 存储器容量 256Kbit  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 存储器容量 256Kbit   SRAM 内存配置 32K x 8位  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 内存配置 32K x 8位  SRAM SRAM 内存配置 32K x 8位  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM SRAM 内存配置 32K x 8位   电源电压范围 4.5V 至 5.5V  CYPRESS SEMICONDUCTOR 电源电压范围 4.5V 至 5.5V  SRAM 电源电压范围 4.5V 至 5.5V  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 电源电压范围 4.5V 至 5.5V   封装类型 SOIC  CYPRESS SEMICONDUCTOR 封装类型 SOIC  SRAM 封装类型 SOIC  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 封装类型 SOIC   针脚数 28引脚  CYPRESS SEMICONDUCTOR 针脚数 28引脚  SRAM 针脚数 28引脚  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 针脚数 28引脚   存取时间 55ns  CYPRESS SEMICONDUCTOR 存取时间 55ns  SRAM 存取时间 55ns  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 存取时间 55ns   工作温度最小值 -40°C  CYPRESS SEMICONDUCTOR 工作温度最小值 -40°C  SRAM 工作温度最小值 -40°C  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 工作温度最小值 -40°C   工作温度最高值 85°C  CYPRESS SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 85°C  SRAM 工作温度最高值 85°C  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 工作温度最高值 85°C   封装 每个  CYPRESS SEMICONDUCTOR 封装 每个  SRAM 封装 每个  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 封装 每个   产品范围 -  CYPRESS SEMICONDUCTOR 产品范围 -  SRAM 产品范围 -  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 产品范围 -   汽车质量标准 -  CYPRESS SEMICONDUCTOR 汽车质量标准 -  SRAM 汽车质量标准 -  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM 汽车质量标准 -   MSL MSL 3 - 168小时  CYPRESS SEMICONDUCTOR MSL MSL 3 - 168小时  SRAM MSL MSL 3 - 168小时  CYPRESS SEMICONDUCTOR SRAM MSL MSL 3 - 168小时  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

CY62256NLL-55SNXI产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423245
重量(千克):
.001089
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com