BSS8402DW-7-F,1713834RL,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V,DIODES INC.
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BSS8402DW-7-F - 

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V

DIODES INC. BSS8402DW-7-F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSS8402DW-7-F
仓库库存编号:
1713834RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSS8402DW-7-F产品概述

The BSS8402DW-7-F is a complementary pair Enhancement Mode MOSFET with matte tin finish annealed over Alloy 42 lead frame terminals and UL94V-0 flame-rated moulded plastic case. Designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
  • Low on resistance
  • Low gate threshold voltage
  • Low input capacitance
  • Fast switching speed
  • Level-1 per J-STD-020 moisture sensitivity
  • Green product
  • AEC-Q101 Qualified

电源管理

BSS8402DW-7-F产品信息

  晶体管极性  N和P沟道  
  电流, Id 连续  115mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  13.5ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.5V  
  功耗 Pd  200mW  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

BSS8402DW-7-F替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSS8402DW-7-F产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000006
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