DMG6601LVT-7,2543535,Dual MOSFET, N and P Complement, 3.8 A, 30 V, 0.034 ohm, 10 V, 1 V,DIODES INC.
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DMG6601LVT-7 - 

Dual MOSFET, N and P Complement, 3.8 A, 30 V, 0.034 ohm, 10 V, 1 V

DIODES INC. DMG6601LVT-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMG6601LVT-7
仓库库存编号：
2543535
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMG6601LVT-7产品信息

  晶体管极性  N和P  
  电流, Id 连续  -  
  漏源电压, Vds  -  
  在电阻RDS（上）  -  
  电压 @ Rds测量  -  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  -  
  晶体管封装类型  TSOT-26  
  针脚数  -  
  工作温度最高值  -  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

DMG6601LVT-7产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.005
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