FCP4N60,1495236,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FCP4N60 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FCP4N60
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制造商产品编号:
FCP4N60
仓库库存编号:
1495236
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FCP4N60产品概述

The FCP4N60 is a 600V N-channel SuperFET? MOSFET, high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Ultra low gate charge
  • Low effective output capacitance
  • 100% Avalanche tested

电源管理, 工业, 通信与网络, 替代能源, 消费电子产品

FCP4N60产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  3.9A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  1ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  50W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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FCP4N60产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00635
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