FDD86580_F085,2610667,晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3.6 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3.6 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDD86580_F085
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制造商产品编号:
FDD86580_F085
仓库库存编号:
2610667
技术数据表:
(EN)
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FDD86580_F085产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  50A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  0.0078ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3.6V  
  功耗 Pd  75W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  PowerTrench Series  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDD86580_F085产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
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