FDN340P,9846310RL,晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDN340P - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDN340P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDN340P
仓库库存编号:
9846310RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDN340P产品概述

The FDN340P from Fairchild is -20V single P channel 2.5V specified powerTrench MOSFET in SOT-23 package. This MOSFET is produced using Fairchild's PowerTrench process to minimize on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Applicable at portable electronics, load switching, power management, battery charging circuits and DC to DC conversion.
  • High performance trench technology for extremely low Rds(on)
  • Low gate charge typically 7.2 nC
  • Drain to source voltage (Vds) of -20V
  • Gate to source voltage of ±8V
  • Continuous drain current of -2A
  • Power dissipation Pd of 500mW
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
  • On resistance Rds(on) of 82mohm at Vgs -2.5V

电源管理, 工业, 便携式器材, 消费电子产品

FDN340P产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  2A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS(上)  0.06ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -800mV  
  功耗 Pd  500mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDN340P产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000035
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