FDN5618P -

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.25 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 20 V

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制造商：: ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号：: FDN5618P
仓库库存编号：: 9846344
技术数据表：: (EN)

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FDN5618P产品概述

The FDN5618P from Fairchild is a surface mount, 60V P channel logic level powerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for DC-DC converters, load switch and power management applications.

High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
Drain to source voltage (Vds) of -60V
Gate to source voltage of ±20V
Continuous drain current (Id) of -1.25A
Power dissipation (pd) of 500mW
Low on state resistance of 185mohm at Vgs -4.5V
Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

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制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作

晶体管极性	P沟道
电流, Id 连续	-1.25A
漏源电压, Vds	-60V
在电阻RDS（上）	170mohm
电压 @ Rds测量	-10V
阈值电压 Vgs	20V
功耗 Pd	500mW
晶体管封装类型	SuperSOT
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

FDN5618P -

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.25 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 20 V

FDN5618P产品概述

FDN5618P产品信息

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