FDS6690A,9845275,晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDS6690A - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6690A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDS6690A
仓库库存编号:
9845275
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDS6690A产品概述

The FDS6690A is a 30V N-channel logic level PowerTrench? MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench? MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)
  • High power and current handling capability

电源管理, 工业

FDS6690A产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  11A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  12.5mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.9V  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDS6690A产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000246
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